場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOSFET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

場效應(yīng)管示意圖

FET屬于電壓控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢。

為保證FET在使用過程中能夠正常工作，IV特性分析對衡量FET的性能好壞有著至關(guān)重要的作用。測試FET的IV特性有利于獲取有關(guān)器件的參數(shù)，研究制造技術(shù)與工藝變化等因素的影響。

理想場效應(yīng)管基本特性曲線

一般需要測試的項目包括柵極漏電流、擊穿電壓、閾值電壓、傳輸/轉(zhuǎn)移特性、漏極電流、導(dǎo)通電阻等。通常涉及使用多種儀器，包括高精度電流表，多個電壓源和電壓表等。

恩智NGI 2600系列高精密數(shù)字源表（SMU）集5臺儀器（電壓源、電流源、IVR測量）功能于一體，具備超高精度源與測量、四象限工作、多臺同步觸發(fā)、線性/對數(shù)掃描等特點，可完美滿足FET的IV特性分析和生產(chǎn)測試場景。

場效應(yīng)管測試方框圖

FET是多數(shù)載流子器件，其載流能力通過施加的電壓的變化而變化。FET有三個主要端子：柵極、漏極和源極。施加到柵極的電壓（V_G）控制從源極I_S流到漏極I_D的電流。

在上述場效應(yīng)管測試框圖中，SMU CH1的正極連接到FET的柵極，SMU CH2的正極連接到FET的漏極。如果需要從FET的所有三個端子進(jìn)行源和測量，F(xiàn)ET的源極連接到兩個SMU通道的負(fù)極或可使用第三臺SMU。

FET常見的IV特性曲線如漏極特性曲線（ V_S-I_D），通過該測試在SMU CH1調(diào)節(jié)柵極電壓（V_G），而SMU CH2掃描漏源電壓（V_DS）并測量得到的漏極電流（I_D）。一旦兩個SMU配置為同步觸發(fā)，可以生成IV數(shù)據(jù)實時顯示在屏幕上，并可通過表格形式直接保存導(dǎo)出，對于每個SMU通道，電流、電壓和時間等數(shù)據(jù)也可分別保存。